خرید: پاورپوینت و ارائه کامل ترانزیستور MOSFET

این مطلب در مورد فایل دانلودی با موضوع پاورپوینت و ارائه کامل ترانزیستور MOSFET می باشد.
کلمات کلیدی:ترانزیستور,دانلود پاورپوینت ترانزیستور ماسفت,دانلود پاورپوینت ترانزیستور MOSFET,دانلود پاورپوینت ترانزیستور اثر میدان,ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌رسانا اکسید فلز,دانلود پاورپوینت و ارائه کامل ترانزیستور MOSFET,ترانزیستور اثر میدان در مدارهای آنالوگ و دیجیتال

دانلود

مقدمه:

ماسفت یا ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌رسانا-اکسید-فلز (metal–oxide–semiconductor field-effect transistor (MOSFE معروف‌ترین ترانزیستور اثر میدان در مدارهای آنالوگ و دیجیتال است. این گونه از ترانزیستور اثر میدان نخستین بار در سال ۱۹۲۵ میلادی معرفی شد. در آن هنگام، ساخت و به کارگیری این ترانزیستورها، به سبب نبود علم و ابزار و امکان، با دشواری همراه بود و از همین روی، برای پنج دهه فراموش شدند و از میدانِ پیشرفت‌های الکترونیک بر کنار ماندند. در آغازِ دههٔ ۱۹۷۰م، بارِ دیگر نگاه‌ها به MOSFETها افتاد و برای ساختنِ مدارهای مجتمع به کار گرفته شدند.

در ترانزیستور اثرِ میدان ( FET ) چنان که از نام اش پیداست، پایهٔ کنترلی، جریانی مصرف نمی‌کند و تنها با اعمال ولتاژ و ایجاد میدان درون نیمه رسانا، جریان عبوری از FET کنترل می‌شود. از همین روی ورودی این مدار هیچ اثر بارگذاری بر روی طبقات تقویت قبلی نمی‌گذارد و امپدانس بسیار بالایی دارد. عمده تفاوت ماسفت با ترانزیستور JFET در این است که گیت ترانزیستورهای ماسفت توسط لایه‌ای از اکسید سیلیسیم (SiO2) از کانال مجزا شده است. به این دلیل به ماسفتها فِت با گیت مجزا (IGFET ، Insulated Gate FET) نیز گفته میشود.

مدارهای مجتمع بر پایهٔ فناوری ترانزیستورهای اثرِ میدانِ MOS را می‌توان بسیار ریزتر و ساده‌تر از مدارهای مجتمع بر پایهٔ ترانزیستورهای دوقطبی ساخت، بی آن که (حتی در مدارها و تابع‌های پیچیده و مقیاس‌های بزرگ ) نیازی به مقاومت، دیود یا دیگر قطعه‌های الکترونیکی داشته باشند.[۲] همین ویژگی، تولیدِ انبوهِ آن‌ها را آسان می‌کند، چندان که هم اکنون بیش‌تر از ۸۵ درصدِ مدارهای مجتمع، بر پایهٔ فناوریِ MOS طراحی و ساخته می‌شوند.ترانزیستورهای MOS، بسته به کانالی که در آن‌ها شکل می‌گیرد، NMOS یا PMOS نامیده می‌شوند. در آغازِ کار، PMOS ترانزیستورِ پرکاربردتر در فناوری MOS بود. اما از آن جا که ساختنِ NMOS آسان‌تر است و مساحتِ کم‌تری هم می‌گیرد، از PMOS پیشی گرفت. بر خلافِ ترانزیستورهای دوقطبی، در ترانزیستورهای MOSFET، جریان، نتیجهٔ شارشِ تنها یک حامل ( الکترون یا حفره) در میانِ پیوندها است و از این رو، این ترانزیستورها را تک‌قطبی هم می‌نامند.

کلمات کلیدی:

ترانزیستور

ترانزیستور ماسفت

ترانزیستور MOSFET

ترانزیستور اثر میدان

ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌رسانا-اکسید-فلز

فهرست مطالب

دو نوع ترانزیستور مهم وجود دارد: MOSFET BJT

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

ترانزیستور NMOS

ترانزیستوری که کانال آن از نوع n باشد، n-channel و یا NMOS خوانده میشود.

اعمال ولتاژی کوچک به درین و سورس

رابطه جریان و ولتاژ

افزایش ولتاژ VDS

اشباع ترانزیستور

جریان در ناحیه تریود

تکنولوژی زیر میکرونی(Sub Micron)

ترانزیستور MOSFET با کانال p (PMOS)

ترانزیستور CMOS

شمای ترانزیستور NMOS

مشخصه iD-VDS

مقاومت کانال

که مستقل از ولتاژ VDS است.

اثر محدود بودن مقاومت خروجی

رابطه جریان خروجی و ولتاژ VDS

مقاومت خروجی

اثر بدنه

اثر حرارت

(Weak avalanche)

مدارات MOSFET در حالت کار بصورتDC

استفاده از MOSFET در مدارات تقویت کننده

روشهای مختلف بایاس کردن MOSFET

به علت این نقش مقاومت سورس به آن Degeneration Resistance میگویند

بایاس از طریق مقاومت فیدبک

بایاس از طریق یک منبع جریان ثابت

نقطه بایاس DC

شرط قرار گرفتن در ناحیه اشباع

جریان سیگنال در درین

گین ولتاژ

مدار معادل سیگنال کوچک

برای تحلیل مدار برای سیگنال کوچک

گین سیگنال کوچک

مقدار مقاومت ورودی

آنالیز DC

مدل T

تقویت کننده سورس مشترک

مشخصه های تقویت کننده سورس مشترک

تقویت کننده سورس مشترک با مقاومت در سورس

تقویت کننده گیت مشترک

مدل سیگنال کوچک تقویت کننده گیت مشترک

مشخصات تقویت کننده گیت مشترک

مقدار مقاومت خروجی:

مقایسه تقویت کننده گیت مشترک با سورس مشترک

کاربرد تقویت کننده گیت مشترک

تقویت کننده درین مشترک و یاSource Follower

مدل سیگنال کوچک

عملکرد MOSFET بعنوان سوئیچ

بدست آوردن نقطه کار

مشخصه انتقال گیت معکوس کننده CMOS

ادامه مطلب و دریافت فایل

پروپوزال ارزیابی دیدگاه مدیران در مورد استراتژی منابع انسانی با عملکرد کارکنان:پروپوزال ارزیابی عملکرد مدیران,پروپوزال استراتژی های منابع انسانی,شاخص های ارزیابی عملکرد مدیران,روشهای ارزیابی عملکرد مدیران,مولفه های استراتژی های منابع انسانی,پروپوزال استراتژی های منابع انسانی در شرکت نفت و گاز,پروپوزال ارزیابی عملکرد مدیران شرکت نفت و گاز,مدلهای مدیریت استراتژیک منابع انسانی

عوامل موثر بر استقرار مدیریت دانش:مدیریت دانش در بانک,عوامل مؤثر بر استقرار مدیریت دانش,عوامل مؤثر بر موفقیت مدیریت دانش,عوامل موثر بر استقرار مدیریت دانش در بانک,پایان نامه با موضوع مدیریت دانش,دانلود پایان نامه مدیریت دانش,پایان نامه مدیریت دانش doc,موضوع پایان نامه مدیریت دانش

تعاریف خسارت و ضرر در حقوق ایران ، کنوانسیون و انگلستان:ضرر و خسارت در کنوانسیون,ضرر و خسارت در حقوق ایران,ضرر و خسارت در حقوق انگلستان,تعاریف خسارت در حقوق ایران ، کنوانسیون و انگلستان,دانلود مقالات کارشناسی ارشد رشته حقوق,دانلود مقالات کارشناسی ارشد حقوق,دانلود مقالات ارشد حقوق,دانلود مقالات حقوقی

پاورپوینت بررسی مفاهیم عرصه بندی موزه:پاورپوینت بررسی مفاهیم عرصه بندی موزه,مفاهیم عرصه بندی موزه,پاورپوینت عرصه بندی موزه,تحقیق عرصه بندی موزه,مقاله عرصه بندی موزه,عرصه بندی موزه به اعتبار بازدید کننده ,عرصه بندی موزه به اعتبار عملکرد ,عرصه نموده ها ,عرصه اطلاعات وخدمات علمی وهنری,

بررسی مسئله رسوب و فرسایش در حوزه آبریز نیروگاههای برق آبی جریانی:فرسایش خاک,رسوب كل,تولید رسوب,كلاس فرسایش,بررسی مسئله رسوب و فرسایش در حوزه آبریز نیروگاههای برق آبی جریانی,دانلود مقالات برق,دانلود مقالات مهندسی برق

پاورپوینت بررسی معماری بومی و اقلیم مناطق کوهستانی :پاورپوینت بررسی معماری بومی و اقلیم مناطق کوهستانی ,بررسی معماری بومی و اقلیم مناطق کوهستانی ,معماری بومی و اقلیم مناطق کوهستانی,ویژگی های معماری بومی مناطق سرد ,اصول کلی و عمده در معماری بومی ,فرم ساختمان در اقلیم سرد ,معماری مناطق کوهستانی,تحقیق معماری مناطق کوهستانی,مقاله معماری بومی و اقلیم مناطق کوهستانی,

دیدگاهی ازتغییرات اقلیم جهان:اقلیم,تغییرات اقلیمی,گازهای گلخانه ای,دانلود مقاله دیدگاهی ازتغییرات اقلیم جهان,عوامل ایجاد تغییرات اقلیم جهانی,اثر گلخانه ای,عوامل تولید كننده گاز های گلخانه ای در بخش كشاورزی,سیستم همکاری در فروش فایل,همکاری در فروش فایل,فروش فایل,fileina,فروشگاه ساز فایل,فروشگاه فایل,خرید مقاله و تحقیق رشته جغرافیا

ارایه یک روش جدید خوشه بندی مبتنی بر انرژی خودسازمانده با استفاده از شبکه عصبی SOM به منظور کاهش مصرف انرژی درشبکه های حسگر بی سیم:شبکه عصبی SOM,پروتكل‌ مسیریابی مبتنی بر خوشه‌بندی,پروتكل خوشه‌بندی مبتنی بر انرژی خودسازمانده,کاهش مصرف انرژی در شبكه‌های حسگر بی‌سیم,دانلود مقالات کارشناسی ارشد رشته هوش مصنوعی,دانلود مقالات ارشد هوش مصنوعی,دانلود مقالات هوش مصنوعی,کاهش مصرف انرژی درشبکه های حسگر بی سیم

بررسی نظریه جرم پولشویی و عنصر قانونی آن در اسناد داخلی و بین المللی:جرم پولشویی,بررسی نظریه جرم پولشویی,مبانی نظری جرم پولشویی,پیشینه جرم پولشویی,عنصر قانونی جرم پولشویی در قوانین ایران,عنصر قانونی جرم پولشویی در قوانین بین المللی,دانلود پایان نامه جرم پولشویی,دانلود پایان نامه پولشویی

مبانی نظری و پیشینه پژوهش استراتژی های شتاب و معكوس، با استفاده از اثر تقدم- تاخر و تحمل ریسك مقطعی:دانلود مبانی نظری و پیشینه پژوهش استراتژی های شتاب و معكوس، با استفاده از اثر تقدم تاخر و تحمل ریسك مقطعی,مبانی نظری و پیشینه پژوهش استراتژی های شتاب و معكوس,استراتژی های شتاب و معكوس,مبانی نظری و پیشینه پژوهش استراتژی های شتاب و معكوس,مبانی نظری و پیشینه تحقیق استراتژی های شتاب و معكوس